基于第一性原理,在密度泛函理论(DFT)框架下,采用广义梯度近似(GGA)进行校正,利用超软赝势(USPP)代替离子势,计算了几种典型的半导体材料,包括金刚石结构的C、Si、Ge,闪锌矿结构的GaAs、GaP、InP、CdTe、CdS和纤锌矿结构的GaN、ZnO半导体材料的能带结构.结合半导体材料的载流子有效质量计算公式,对能带极值附近点进行拟合,得到了有效质量的理论计算结果,并对计算结果的可靠性进行了讨论.通过与实验数据的对比,计算结果显示了较好的一致性.
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